| 发明名称 |
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
반도체 소자의 제조방법이 개시된다. 본 제조방법은, 버퍼층상에 반도체층을 형성하는 단계, 기 설정된 구조를 갖도록 반도체층 및 버퍼층의 일부 영역을 식각하는 단계, 식각된 버퍼층상에 기 설정된 구조의 높이보다 낮은 기 설정된 높이를 갖는 산화막을 형성하는 단계, 산화막 및 기 설정된 구조상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160114923(A) |
申请公布日期 |
2016.10.06 |
| 申请号 |
KR20150041417 |
申请日期 |
2015.03.25 |
| 申请人 |
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION |
发明人 |
LEE, JUNG HEE;LEE, JUN HYEOK;WON, CHUL HO;JO, YOUNG WOO;SON, DONG HYEOK |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
