ダイのパッケージング品質改善のためのウエハのダイシング方法

摘要

実施形態においては、当初のレーザスクライビング及びそれに続くプラズマエッチングが含まれる、ハイブリッドウエハ／基板のダイシングプロセスが実行される。これらは、ダイを個片化すると同時に、ダイ上の金属バンプ／パッドから酸化層を除去するものでもある。一実施形態によれば、方法には、酸化層を有する金属バンプ／パッドを含む複数のＩＣを覆うように、半導体ウエハ上にマスクを形成することが含まれる。方法には、レーザスクライビング処理によって、間隙のあるパターニングされたマスクを提供するため、ＩＣ間の半導体ウエハ領域を露出しながら、マスクをパターニングすることが含まれる。方法には、複数のＩＣを個片化し、金属バンプ／パッドから酸化層を除去するため、パターン化されたマスクの間隙を通じて半導体ウエハをプラズマエッチングすることが含まれる。【選択図】図１