发明名称 METHOD FOR MULTIPLYING PATTERN DENSITY BY CROSSING MULTIPLE PATTERNED LAYERS
摘要 본 명세서에 개시하는 기술은 고분해능 컨택 개구, 슬롯, 트렌치, 및 기타 피처를 형성하기 위해 패턴 밀도를 증가시키는 것을 포함한다. 제1 라인 생성 시퀀스는 더블 스택 맨드렐, 측벽 이미지 전사, 및 신규한 평탄화 방식을 이용하여, 상이한 재료로 교대로 배열된 평행 라인들의 제1 층을 생성한다. 이 라인 생성 시퀀스는 평행 라인들의 제1 층의 상측 상에서 반복되지만, 상이한 재료로 교대로 배열된 평행 라인들의 제2 층은 제1 층의 라인들과 동일한 높이로 교차하도록 배향된다. 평행 라인의 더블 스택 내의 재료 중 하나에 대한 선택적 에칭으로, 하부층에 전사될 수 있는 개구, 슬롯, 등의 패턴이 형성된다. 본 명세서에 개시하는 이러한 패터닝 기술은 주어진 패턴의 피처의 밀도를 4배화하는데, 이것은 피치 쿼드를 생성하는 것으로서 설명될 수 있다.
申请公布号 KR20160115970(A) 申请公布日期 2016.10.06
申请号 KR20167024058 申请日期 2015.02.17
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 DEVILLIERS ANTON J.
分类号 H01L21/311;H01L21/033;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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