| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Halbleiterscheiben (120) mit jeweils einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht in einem Epitaxie-Reaktor (100), wobei in einem Beschichtungsvorgang wenigstens eine Halbleiterscheibe (120) auf einem jeweiligen Suszeptor (110) in dem Epitaxie-Reaktor (100) angeordnet wird und ein erstes Abscheidegas zum Beschichten der wenigstens einen Halbleiterscheibe (120) durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet wird, und wobei jeweils nach mehreren Beschichtungsvorgängen ein Reinigungsvorgang durchgeführt wird, bei dem ein erstes Ätzgas und anschließend ein zweites Abscheidegas durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet werden, wobei zwischen zwei aufeinanderfolgenden Reinigungsvorgängen wenigstens ein Zwischenreinigungsvorgang durchgeführt wird, bei dem zwischen zwei unmittelbar aufeinanderfolgenden Beschichtungsvorgängen ein zweites Ätzgas durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet wird, ohne dass ein Abscheidegas durch den Epitaxie-Reaktor (100) geleitet wird. |
