高电子迁移率晶体管及其形成方法

摘要

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括第一III‑V族化合物层。第二III‑V族化合物层设置在第一III‑V族化合物层上方，并且在组成上不同于第一III‑V族化合物层。载流子沟道位于第一III‑V族化合物层和第二III‑V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III‑V族化合物层上方。p型层设置在源极部件和漏极部件之间的第二III‑V族化合物层的一部分上方。栅电极设置在p型层上方。栅电极包括耐熔金属。耗尽区设置在载流子沟道中并位于栅电极下方。还提供了高电子迁移率晶体管及其形成方法。

主权项

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V族化合物层；第二III‑V族化合物层，设置在所述第一III‑V族化合物层上方并且在组成上不同于所述第一III‑V族化合物层，其中载流子沟道位于所述第一III‑V族化合物层和所述第二III‑V族化合物层之间，并且在等离子体环境下对所述第二III‑V族化合物层进行蚀刻，在所述第二III‑V族化合物层内形成凹部；源极部件和漏极部件，设置在所述第二III‑V族化合物层的凹部的上方，所述源极部件和所述漏极部件具有不平坦的顶面；p型层，设置在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III‑V族化合物层的一部分上方，其中，所述p型层的侧壁未与所述第二III‑V族化合物层接触，所述p型层的最底部表面与所述第二III‑V族化合物层接触并且位于所述第二III‑V族化合物层的最顶部表面上面；栅电极，设置在所述p型层上方，其中所述栅电极包括耐熔金属，所述p型层和所述栅电极的边缘对准；以及耗尽区，设置在所述载流子沟道中并位于所述栅电极下方。