发明名称 |
制造光刻掩模的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括:提供衬底,在所述衬底上沉积不透明层,涂覆光刻胶,以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除所述CBCD层。本发明还公开了一种制造光刻掩模的方法。 |
申请公布号 |
CN103365069B |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201210580668.9 |
申请日期 |
2012.12.27 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
林云跃;李信昌;陈嘉仁;连大成;严涛南 |
分类号 |
G03F1/24(2012.01)I;G03F1/68(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/24(2012.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种制造光刻掩模的方法,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成不透明层;在所述不透明层上形成光刻胶层;形成与所述光刻胶层相邻的碳基电荷消散CBCD层;通过电子束光刻图案化所述光刻胶层;去除所述CBCD层,其中,对所述光刻胶层进行显影,所述CBCD层在显影期间被去除或者在对所述光刻胶进行显影之前通过湿蚀刻去除所述CBCD层;以及蚀刻所述不透明层,其中,所述CBCD层包括选自由石墨烯、石墨和非晶碳所组成的组中的材料。 |
地址 |
中国台湾,新竹 |