半导体刻蚀工艺的终点检测方法

摘要

本发明揭示了一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所刻蚀的半导体结构至少包括阻挡层和介质层，选用的刻蚀气体为二氟化氙，其中：在刻蚀工艺结束前，向刻蚀环境中通入HF气体以产生终点标记产物，当监测到终点标记产物生成时，终结刻蚀工艺。采用本发明所提供的技术方案，能够大大提高终点检测的精确度，帮助操作人员及时地终结刻蚀工艺，以改善半导体结构的品质，避免刻蚀不完全或过刻。

主权项

一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所述半导体刻蚀工艺对半导体结构进行刻蚀，该半导体结构至少包括阻挡层和介质层，刻蚀气体为二氟化氙(XeF₂)，其特征在于，在半导体刻蚀工艺结束前，向刻蚀环境中通入氟化氢(HF)气体以产生终点标记产物，当监测到所述终点标记产物生成时，终结所述半导体刻蚀工艺。