发明名称 有源矩阵基板
摘要 有源矩阵基板(100)具有设置有多个像素的显示区域(R1)和设置在显示区域的周围的边框区域(R2),在边框区域设置有构成驱动电路的多个周边电路TFT(5),多个周边电路TFT各自具有栅极电极(12)、源极电极(16)、漏极电极(18)和氧化物半导体层(14),在多个周边电路TFT中的至少一部分周边电路TFT中,非对称地形成有源极连接区域(Rs)和漏极连接区域(Rd),其中,源极连接区域(Rs)为氧化物半导体层与源极电极的连接区域,漏极连接区域(Rd)为氧化物半导体层与漏极电极的连接区域。
申请公布号 CN105993077A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201580007789.6 申请日期 2015.02.10
申请人 夏普株式会社 发明人 富田雅裕;上田直树
分类号 H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳;池兵
主权项 一种有源矩阵基板,其具有设置有多个像素的显示区域和设置在所述显示区域的外侧的边框区域,在所述边框区域设置有构成驱动电路的多个周边电路TFT,所述有源矩阵基板的特征在于:所述多个周边电路TFT各自具有:栅极电极;氧化物半导体层,该氧化物半导体层以在与所述栅极电极绝缘的状态下与所述栅极电极至少部分地重叠的方式配置;以及与所述氧化物半导体层连接的源极电极和漏极电极,在所述多个周边电路TFT中的至少一部分周边电路TFT中,非对称地形成有源极连接区域和漏极连接区域,其中,所述源极连接区域为所述氧化物半导体层与所述源极电极的连接区域,所述漏极连接区域为所述氧化物半导体层与所述漏极电极的连接区域。
地址 日本,大阪府