发明名称 一种光学防伪元件及其制作方法
摘要 本发明公开了一种光学防伪元件及其制作方法。该制作方法包括:在支撑层上形成起伏结构层,起伏结构层包括不相邻的第一区域和第二区域、包围第一区域并且与第一区域邻接的第三区域、以及包围第二区域并且与第二区域邻接的第四区域;在起伏结构层上以均匀表面密度蒸镀金属反射层;在金属反射层上对应第一区域和第二区域分别套印正性感光胶和负性感光胶,正性感光胶的边界位于第三区域中且包围第一区域,负性感光胶的边界位于第四区域中且包围第二区域;从正性感光胶和负性感光胶的正面或背面曝光;显影;以及去除未被正性感光胶和负性感光胶保护的金属反射层。本发明能够保留第一区域和第二区域对应的金属反射层,有效提高了防伪元件的防伪能力。
申请公布号 CN104647934B 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201310594525.8 申请日期 2013.11.21
申请人 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 发明人 胡春华;吴远启;张宝利;张昊宇;周赟;蔡翔
分类号 B42D25/29(2014.01)I;B42D25/30(2014.01)I;G02B5/18(2006.01)I 主分类号 B42D25/29(2014.01)I
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人 陈潇潇;肖冰滨
主权项 一种光学防伪元件的制作方法,其特征在于,该制作方法包括:在支撑层上形成起伏结构层,所述起伏结构层包括不相邻的第一区域和第二区域、包围所述第一区域并且与所述第一区域邻接的第三区域、以及包围所述第二区域并且与所述第二区域邻接的第四区域,所述第一区域具有第一起伏结构,所述第二区域具有第二起伏结构,所述第三区域具有第三起伏结构,所述第四区域具有第四起伏结构,所述第一起伏结构的深宽比小于所述第二起伏结构的深宽比,所述第三起伏结构的深宽比大于所述第一起伏结构的深宽比,所述第四起伏结构的深宽比小于所述第一起伏结构的深宽比;在所述起伏结构层上以均匀表面密度蒸镀金属反射层;在所述金属反射层上对应所述第一区域和所述第二区域分别套印正性感光胶和负性感光胶,所述正性感光胶的边界位于所述第三区域中且包围所述第一区域,所述负性感光胶的边界位于所述第四区域中且包围所述第二区域;从所述正性感光胶和所述负性感光胶的正面或背面曝光;显影;以及去除未被所述正性感光胶和所述负性感光胶保护的金属反射层。
地址 100070 北京市丰台区科学城星火路6号
您可能感兴趣的专利