发明名称 |
一种压力传感器及其制备方法 |
摘要 |
本申请一种基于COMS电路的加速度压力传感器及其制备方法,涉及传感器制备领域,通过在ASIC衬底(设置有控制电路结构)上采用熔融键和工艺制备加速度计,再利用共晶键合工艺在上述加速度结构上继续制备压力传感器,最后采用深反应离子刻蚀工艺将上述的加速度计和压力传感器整合,进而形成垂直整合的压力传感器和加速度计结构,在大大降低芯片总体面积的同时,有效的提高了晶圆芯片的生产效率。 |
申请公布号 |
CN105987722A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510058554.1 |
申请日期 |
2015.02.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
徐伟;刘国安 |
分类号 |
G01D21/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01D21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
俞涤炯 |
主权项 |
一种压力传感器,其特征在于,所述压力传感器包括:一设置有控制电路结构的ASIC衬底、基于该ASIC衬底上制备的加速度计和压力传感器;以及一连接结构;所述压力传感器通过所述连接结构垂直整合于所述加速度计上。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 |