| 发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包含一基底，多个第一源/漏极位于该基底上，以及至少一第一纳米线结构位于该第一源/漏极上，此外，各该第一纳米线结构与各该第一源/漏极位于不同平面上。 | ||
| 申请公布号 | CN105990414A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510063318.9 | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈信宇;李皞明;林胜豪;江怀慈 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/775(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一具有纳米线的半导体结构，包含:基底；多个第一源/漏极位于该基底上；以及至少一第一纳米线结构位于该第一源/漏极上，此外，各该第一纳米线结构与各该第一源/漏极位于不同平面上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||