| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括：第一半导体层、位于第一半导体层上的绝缘层和位于绝缘层表面的第二半导体层；在第二半导体层上形成栅极结构，栅极结构包括覆盖部分第二半导体层的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述第二半导体层表面形成非晶硅层，非晶硅层覆盖侧墙且所述非晶硅层的表面与栅极结构的顶部表面齐平；对栅极结构两侧的非晶硅层进行金属横向诱导晶化处理，使非晶硅层转变为多晶硅层；回刻蚀所述多晶硅层，使多晶硅层的表面低于栅极结构的顶部表面；在栅极结构两侧多晶硅层内形成源漏极。上述方法可以降低晶体管的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105990138A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510051501.7 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘金华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括：第一半导体层、位于第一半导体层上的绝缘层和位于绝缘层表面的第二半导体层；在所述第二半导体层上形成栅极结构，所述栅极结构包括覆盖部分第二半导体层的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；在所述栅极结构侧壁表面形成侧墙；在所述第二半导体层表面形成非晶硅层，所述非晶硅层覆盖侧墙且所述非晶硅层的表面与栅极结构的顶部表面齐平；对所述栅极结构两侧的非晶硅层进行金属横向诱导晶化处理，使所述非晶硅层转变为多晶硅层；回刻蚀所述多晶硅层，使所述多晶硅层的表面低于栅极结构的顶部表面；在所述栅极结构两侧多晶硅层内形成源漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||