一种SRAM及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种SRAM及其制造方法、电子装置，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有非对称结构，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍片，在鳍片的两端形成有隔离结构；在鳍片的一端形成第一凹槽，并在第一凹槽中形成第一外延材料层；在鳍片的另一端形成第二凹槽，并在第二凹槽中形成第二外延材料层，所述第二外延材料层的厚度小于所述第一外延材料层的厚度；在鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。在不改变PU、PD和PG的数量关系的前提下，可以有效提升所述SRAM的静态噪声容限和写容限。

主权项

一种SRAM的制造方法，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有非对称结构，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片(201)，在所述鳍片的两端形成有隔离结构(200)；在所述鳍片的一端形成第一凹槽(204)，并在所述第一凹槽中形成第一外延材料层(205)；在所述鳍片的另一端形成第二凹槽(208)，并在所述第二凹槽中形成第二外延材料层(209)，所述第二外延材料层的厚度小于所述第一外延材料层的厚度；在所述鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。