半导体装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够降低终端区域中的半导体区域表面的电场的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、元件区域、及终端区域。第二半导体区域设置在第一半导体区域内。元件区域具有第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、及栅极电极。栅极电极隔着栅极绝缘层而与第三半导体区域及第四半导体区域相邻。终端区域具有第一电极。终端区域包围元件区域。第一电极具有在第一方向延伸的第一部分、及在第二方向延伸的第二部分。第一电极在第一半导体区域上及第二半导体区域上设置着多个。在第二方向相邻的第一部分的间隔比在第一方向相邻的第二部分的间隔窄。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域内，在第一方向延伸，且在与所述第一方向正交的第二方向设置着多个；元件区域；以及终端区域，包围所述元件区域；所述元件区域包括：第二导电型的第三半导体区域，设置在所述第二半导体区域上；第一导电型的第四半导体区域，选择性地设置在所述第三半导体区域上；以及栅极电极，隔着栅极绝缘层而与所述第三半导体区域及所述第四半导体区域相邻；且所述终端区域包括多个第一电极；所述多个第一电极包含：第一部分，在所述第一方向延伸；以及第二部分，在所述第二方向延伸；且设置在所述第一半导体区域上及所述第二半导体区域上，在所述第二方向相邻的所述第一部分的间隔比在所述第一方向相邻的所述第二部分的间隔窄。