发明名称 电光学装置以及电子设备
摘要 本发明提供一种能有效阻隔朝向半导体层斜向地行进的光的电光学装置以及电子设备。在电光学装置的元件基板(10)中,遮光性的第1金属层(6)之中,数据线(6a)(第1布线)在俯视下与半导体层(1a)重叠,中继电极(6b,第1中继电极)中,第1布线(6a)侧的端部(6b1)沿半导体层(1a)在Y方向(第1方向)上延伸并隔着第1间隙(g1)与数据线(6a)相对。在第1金属层(6)与像素电极(9a)的层间形成遮光性的第2金属层(8),由第2金属层8之中的恒电位线(8a)的第1伸出部(8e)构成在俯视下与第1间隙(g1)重叠的第1遮光部(8s)。第1金属层(6)以及第2金属层(8)都包括铝层,电阻低且OD值几乎无限大。
申请公布号 CN105988257A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201610136312.4 申请日期 2016.03.10
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 中村定一郎
分类号 G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李逸雪
主权项 一种电光学装置,其特征在于,具有:基板;像素晶体管,在所述基板的一面侧具备在第1方向上延伸的半导体层;像素电极,设置在相对所述半导体层与所述基板相反的一侧,且导通至所述半导体层的一侧端部;遮光性的第1金属层,设置在所述像素晶体管与所述像素电极的层间,包括在所述第1方向上延伸且在俯视下与所述半导体层重叠的第1布线、以及从所述第1布线向与所述第1方向交叉的第2方向的一侧远离的第1中继电极;以及遮光性的第2金属层,设置在所述第1金属层与所述像素电极的层间,包括在所述第1方向以及所述第2方向的至少一个方向上延伸的第2布线,所述第1中继电极使所述第2方向的另一侧的端部与所述第1布线隔开第1间隙地,沿着所述半导体层在所述第1方向上延伸,所述第2金属层具备在俯视下与所述第1间隙重叠的第1遮光部。
地址 日本东京