| 发明名称 | 一种封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种封装方法，包括提供第一芯片和第二芯片，第一芯片上形成有焊料柱阵列，第二芯片上形成有与第一芯片焊料柱阵列对应位置的焊接电极阵列；在焊料氧化物的还原性气体气氛中，进行加热工艺，使第一芯片上的焊料柱阵列熔化为球状，然后将第二芯片对准第一芯片并进行焊接。利用本发明的方法在芯片焊接过程中，可以保证金属焊料表面氧化物在焊接过程中被还原，并最终实现低阻封装连接的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105990164A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510052152.0 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 贾云丛;殷华湘;袁烽;陈大鹏 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;韩晓莉 |
| 主权项 | 一种封装方法，其特征在于，包括步骤：提供第一芯片和第二芯片，第一芯片上形成有焊料柱阵列，第二芯片上形成有与第一芯片焊料柱阵列相对应的焊接电极阵列；在焊料氧化物的还原性气体气氛中，进行加热工艺，使第一芯片上的焊料柱阵列熔化为球状，然后将第二芯片对准第一芯片并进行焊接。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||