| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第1半导体基板、第2半导体基板、第1金属层、第2金属层、第3金属层、第1合金层、以及第2合金层。第1半导体基板与第2半导体基板相互对向。第1金属层设置在第1半导体基板的第2半导体基板侧。第2金属层设置在第2半导体基板的第1半导体基板侧。第3金属层配置在第1金属层与第2金属层之间。第1合金层配置在第1金属层与第3金属层之间，且包含第1金属层的成分与第3金属层的成分。第2合金层配置在第2金属层与第3金属层之间，且包含第2金属层的成分与第3金属层的成分。第1及第2金属层的至少一方为部相比其周缘部而向远离第3金属层的方向凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105990292A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510849120.3 | 申请日期 | 2015.11.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 右田达夫;小木曾浩二 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于具备：相互对向的第1及第2半导体基板；第1金属层，设置在所述第1半导体基板的所述第2半导体基板侧；第2金属层，设置在所述第2半导体基板的所述第1半导体基板侧；第3金属层，配置在所述第1金属层与所述第2金属层之间；第1合金层，配置在所述第1金属层与所述第3金属层之间，且包含所述第1金属层的成分与所述第3金属层的成分；以及第2合金层，配置在所述第2金属层与所述第3金属层之间，且包含所述第2金属层的成分与所述第3金属层的成分；且所述第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离所述第3金属层的方向凹陷。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||