一种制备石墨烯纳米线器件的方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。

主权项

一种制备石墨烯纳米线器件的方法，其特征在于具体步骤为：（1）利用掩模板，采用化学气相沉积方法在二氧化硅衬底上淀积一层氮化硅作为刻蚀保护层，然后在二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽；（2）在纳米槽内淀积若干不连续的铜小块，作为石墨烯成核位点；（3）利用低压化学气相沉积在经步骤（2）处理的纳米槽内生长一层石墨烯纳米线；（4）利用原子层沉积在经步骤（3）处理的纳米槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；（5）接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。