发明名称 存储器及其读取电路、一种比较电路
摘要 本发明涉及一种存储器及其读取电路、一种比较电路。所述读取电路包括译码单元、比较电路及输出单元;所述比较电路包括阈值产生模块、第一比较模块、第二比较模块、电流镜模块、至少一个控制节点及至少一个限流管;其中,所述电流镜模块,适于为所述第二比较模块提供偏置电流;至少一个控制节点,适于传递所述偏置电流至所述第二比较模块;至少一个限流管,设于所述电流镜模块与对应控制节点之间,适于限制所述电流镜模块所产生的耦合电流。本发明技术方案使用了限流管限制电流镜模块产生的耦合电流,能够满足电流镜模块内部晶体管卸载耦合电流的能力,使其晶体管上累积的耦合电流相对减少,避免耦合电流对偏置电流幅值的影响。
申请公布号 CN103106916B 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201210564397.8 申请日期 2012.12.21
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军
分类号 G11C11/409(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I 主分类号 G11C11/409(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种读取电路,适于对存储器的存储单元进行选择读取,其特征在于,包括:译码单元,适于选择存储单元并读取该存储单元的位线电流;比较电路,包括阈值产生模块、第一比较模块、第二比较模块、电流镜模块、至少一个控制节点及至少一个限流管;所述阈值产生模块,适于提供阈值信号,所述阈值产生模块包括第一电流源、第二电流源和第一钳位电路;所述的第一钳位电路包括:第一PMOS管,其漏极接入所述第一电流源,源极接第一电平;第一NMOS管,其源极接入所述第二电流源,漏极接第二电平;第一调整放大器,其输入端接入所述第一NMOS管的源极,输出端与所述第一PMOS管和第一NMOS管的栅极相接;由所述第一PMOS管的漏极输出所述阈值信号;所述第一比较模块,适于将被选择存储单元的位线电流与预设电流进行比较输出第一读取信号;所述第二比较模块,适于将所述第一读取信号与阈值信号比较并输出第二读取信号;所述电流镜模块,适于为所述第二比较模块提供偏置电流;每一个所述控制节点,适于传递所述偏置电流至所述第二比较模块;每一个所述限流管,设于所述电流镜模块与对应控制节点之间,适于限制所述电流镜模块所产生的耦合电流;输出单元,适于根据所述第二读取信号输出被选择存储单元内的数据。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
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