发明名称 一种隔离电源过流关断延迟保护电路
摘要 本发明公开了一种隔离电源过流关断延迟保护电路,包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路;采样电路采用采样电阻;电压门限电路采用MOS管;充电延迟电路包括第四电阻、稳压管和电容;供电稳压电路包括供电三极管;采样电阻一端接输入地,另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极;MOS管的源极、稳压管的正极以及电容的一端共连后连接到输入地GND,MOS管的漏极、稳压管的负极、电容的另一端与第四电阻的一端共连后连接到供电三极管的基极,第四电阻的另一端连接到电源输入电压和供电三极管的集电极上,供电三极管的发射极连接到电源控制器的供电电压。本发明的电路具有结构简单、成本低、可靠性高等优点。
申请公布号 CN105977921A 申请公布日期 2016.09.28
申请号 CN201610472760.1 申请日期 2016.06.27
申请人 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 发明人 桑泉
分类号 H02H7/12(2006.01)I;H02H3/093(2006.01)I 主分类号 H02H7/12(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 耿英;董建林
主权项  一种隔离电源过流关断延迟保护电路,其特征是,包括采样电路、电压门限电路、充电延迟电路和供电稳压电路;采样电路采用采样电阻;电压门限电路采用MOS管V<sub>1</sub>;充电延迟电路包括第四电阻R<sub>4</sub>、稳压管V<sub>2</sub>和电容C<sub>1</sub>;供电稳压电路包括供电三极管V<sub>3</sub>;采样电阻一端接输入地,另一端连接电源主开关管源极和MOS管的栅极;MOS管V<sub>1</sub>的源极、稳压管V<sub>2</sub>的正极以及电容C<sub>1</sub>的一端共连后连接到输入地GND,MOS管V<sub>1</sub>的漏极、稳压管V<sub>2</sub>的负极、电容C<sub>1</sub>的另一端与第四电阻R<sub>4</sub>的一端共连后连接到供电三极管V<sub>3</sub>的基极,第四电阻R<sub>4</sub>的另一端连接到电源输入电压V<sub>in</sub>和供电三极管V<sub>3</sub>的集电极上,供电三极管V<sub>3</sub>的发射极连接到电源控制器的供电电压V<sub>DD1</sub>。
地址 215163 江苏省苏州市高新区龙山路89号