具有改进击穿电压的场效应晶体管和形成这种场效应晶体管的方法

摘要

本文提供了具有改进击穿电压的晶体管和形成所述晶体管的方法。在一个实施方案中，形成晶体管的方法包括以下步骤：通过用第一掺杂物类型掺杂半导体形成第一类型半导体来形成漏极（10）和源极（8），所述漏极和所述源极彼此隔开，其中，所述漏极包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区（204）相邻的第一漏极区（202），使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极之间，以及还包括通过掺杂所述半导体形成位于所述漏极和所述源极中间的第二类型半导体来形成中间区（200），所述中间区与所述第二漏极区隔开。

主权项

一种形成晶体管的方法，所述方法包括：通过用第一掺杂物类型掺杂半导体形成第一类型半导体来形成漏极和源极，所述漏极和所述源极彼此隔开，其中，所述漏极包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区相邻的第一漏极区，使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极之间；以及形成位于所述漏极和所述源极之间的栅极区；在所述源极下形成轻掺杂区，所述轻掺杂区用作所述晶体管的沟道区和背栅极；在所述轻掺杂区下形成轻掺杂阱，以使得所述轻掺杂区具有相对于所述轻掺杂阱的朝向所述漏极延伸的突出部分；形成围绕所述晶体管的源极区和漏极区外围并临近所述晶体管的源极区和漏极区的第二类型半导体的插头；形成在至少所述漏极区下方且与至少所述漏极区隔开的第二类型半导体的掩埋层；形成位于所述栅极区上的屏蔽元件，其中屏蔽元件电连接到所述栅极区并被配置为屏蔽栅极区使其免受电场梯度影响。