超浅结退火方法

摘要

本发明提供一种超浅结退火方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面具有多个器件结构，使得所述半导体衬底的正面凹凸不平；在所述半导体衬底的正面形成一非晶碳层和一覆盖层，所述非晶碳层完全覆盖所述多个器件结构，所述覆盖层覆盖所述非晶碳层；对所述半导体衬底进行正面快速热退火或背面快速热退火。本发明中，由于非晶碳层较高的热吸收系数，并同时作为半导体衬底的散热体，从而把热源的热能更加均匀的分散在半导体衬底上。使得半导体衬底中的器件结构受热更加均匀，退火温度更加均匀，从而提高半导体衬底上器件结构的性能。此外，在非晶碳层上形成的覆盖层可以防止非晶碳材料污染腔体以及腔体中的其他的半导体衬底。

主权项

一种超浅结退火方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的正面具有多个器件结构，使得所述半导体衬底的正面凹凸不平；在所述半导体衬底的正面形成一非晶碳层和一覆盖层，所述非晶碳层完全覆盖所述多个器件结构，所述覆盖层覆盖所述非晶碳层；对所述半导体衬底进行正面快速热退火或背面快速热退火。