一种阵列基板及其制备方法

摘要

本发明公开一种阵列基板的制备方法，通过在一基板上形成栅电极；在栅电极和基板上沉积栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层及钝化层，通过一道光罩制程对半导体层、源漏金属层及钝化层进行图案化处理以形成半导体图案、源漏极图案及接触孔图案；在接触孔图案及钝化层上形成ITO像素电极。本发明还公开一种阵列基板。通过这种方式，本发明利用一道光罩制程形成半导体图案、源漏极图案及接触孔图案，使得阵列基板的制程缩减到三道光罩，从而降低制程成本、减小作业时间，提高生产效率。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在一基板上形成栅电极；在所述栅电极和所述基板上沉积栅极绝缘层、半导体层、源漏金属层及钝化层，通过一道光罩制程对所述半导体层、源漏金属层及钝化层进行图案化处理以形成半导体图案、源漏极图案及接触孔图案；在所述接触孔图案及所述钝化层上形成ITO像素电极。