晶体管制造方法

摘要

本发明提供一种晶体管制造方法，在不增加器件尺寸的前提下，形成了掺杂的锗硅层‑无掺杂的锗硅层或者掺杂的碳硅层‑无掺杂的碳硅层的应变沟道区，一方面利用锗、碳与硅的不同晶格特点造成应变沟道区与其下方的半导体衬底的晶格失配，使得应变沟道区中产生应力；另一方面通过掺杂的锗硅层或掺杂的碳硅层作为反型层，无掺杂的锗硅层或无掺杂的碳硅层阻挡有掺杂的锗硅层或掺杂的碳硅层中的掺杂离子扩散，有效改善了短沟道效应，进而增大晶体管器件的载流子迁移率。

主权项

一种晶体管制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成外延硅层；刻蚀所述外延硅层至所述半导体衬底表面，形成沟道槽；在所述沟道槽中依次外延填充掺杂的锗硅层和无掺杂的锗硅层，或者依次外延填充掺杂的碳硅层和无掺杂的碳硅层，形成应变沟道区；在所述应变沟道区上方形成栅极堆叠结构；其中，所述外延硅层为碳掺杂硅层时，在所述沟道槽中依次外延填充掺杂的锗硅层和无掺杂的锗硅层；所述外延硅层为锗掺杂硅层时，在所述沟道槽中依次外延填充掺杂的碳硅层和无掺杂的碳硅层。