一种改善晶体硅太阳能电池组件光致衰减的方法及装置

摘要

本发明公开了一种在组件层压的同时改善晶体硅太阳能电池组件光致衰减的方法及装置。它通过对电池片制备过程中的关键工艺和组件封装过程中的关键工艺进行改善和优化，具体操作步骤如下：A.电池片制备：其关键在于，对PECVD镀膜工艺的改善与优化，通过控制SiNx和SiOxNy沉积反应，提高SiNx薄膜的氢含量；B.组件封装：其关键在于，在组件层压的同时，对电池片进行一定温度下的正向偏置预处理。本发明的有益效果是：降低和抑制晶体硅太阳能组件光致衰减，克服了由于光致衰减导致的实际功率与标称功率不符的问题，以简捷的方法实现产业化推广，也克服了光源系统导致的成本投入，更为经济可行。

主权项

一种改善晶体硅太阳能电池组件光致衰减的方法，其特征是，通过对电池片制备过程中的关键工艺和组件封装过程中的关键工艺进行改善和优化，具体操作步骤如下：A.电池片制备：其关键在于，对PECVD镀膜工艺的改善与优化，通过控制SiNx和SiOxNy沉积反应，提高SiNx薄膜的氢含量；B.组件封装：其关键在于，在组件层压的同时，对电池片进行70℃‑200℃下的正向偏置预处理；其中组件封装的具体操作步骤如下：(a)电池片分选、单焊、串焊后，将电池串、玻璃和EVA、背板按照一定的层次敷设，准备层压；(b)层压机的层压室加热到100‑150℃，把层叠好的组件玻璃面向下，由传送带送入层压机的层压系统，层压腔室开始抽真空，上室开始充气，经过三个阶段的加压后，进入层压阶段；(c)恒流加压室加热至70℃‑200℃，待层压过程结束及层压室完成放气后，组件通过传送系统进入改善光致衰减预处理工艺腔室，腔室具有固定的卡槽，用于固定组件的位置，恒流源输出探针与组件电极接触，开始向组件施加正向偏压，控制恒流源输入电流密度，同时，实时监测组件电压输出，当输出电压逐渐增大至饱和后，及时向控制系统反馈，冷却系统开始工作，腔室冷却至50℃温度以下，停止施加偏压；(d)开盖，送出组件。