| 发明名称 | 一种神经电极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种神经电极结构的制造方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域，凸面为凸条或凸台；在凹凸区域的表面上形成绝缘层；在绝缘层的表面上形成凹凸的第一电极。该方法将电极形成在凹凸区域上，形成三维的神经电极结构，在植入人体后使得植入式的神经电极具有更大的比表面积，增加了电极的电荷捕获能力，进而提高电极灵敏度、集成度以及空间分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN105963857A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610362314.5 | 申请日期 | 2016.05.26 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李俊杰;赵超;杨涛;李洪革 |
| 分类号 | A61N1/05(2006.01)I | 主分类号 | A61N1/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 党丽;王宝筠 |
| 主权项 | 一种神经电极结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域，凸面为凸条或凸台；在凹凸区域的表面上形成绝缘层；在绝缘层的表面上形成凹凸的第一电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||