薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：提供基板；在基板上沉积半导体层，并图案化半导体层；在沉积有图案化后的半导体层的基板上沉积绝缘层；在绝缘层上设置对应半导体层上方的凹槽，凹槽的上表面的横截面大于下表面的横截面；在凹槽内沉积金属层，形成栅极；以栅极为掩膜，向半导体层注入离子，半导体层形成具有沟道区、重掺杂的源区和漏区的有源层；热扩散使重掺杂的源区和漏区的离子向沟道区移动，形成轻掺杂的源区和漏区。上述方法通过一次离子注入形成具有沟道区、重掺杂的源区和重掺杂的漏区的有源层，并通过热扩散来形成相应的轻掺杂的源区和轻掺杂的漏区，制备工艺简单。薄膜晶体管通过该方法制备得到。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上沉积半导体层，并图案化所述半导体层；在沉积有所述图案化后的半导体层的基板上沉积绝缘层；在所述绝缘层上设置对应所述半导体层上方的凹槽，所述凹槽的上表面的横截面大于下表面的横截面；在所述凹槽内沉积金属层，形成栅极；以所述栅极为掩膜，向所述半导体层注入离子，所述半导体层形成具有沟道区、重掺杂的源区和重掺杂的漏区的有源层；热扩散使所述重掺杂的源区和重掺杂的漏区的离子向所述沟道区移动，形成轻掺杂的源区和轻掺杂的漏区。