发明名称 半导体发光元件
摘要 半导体发光元件包含基体、第1~3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间,且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。
申请公布号 CN105957940A 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201610015618.4 申请日期 2016.01.11
申请人 株式会社东芝 发明人 胜野弘;石黑阳;山田真嗣
分类号 H01L33/44(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I 主分类号 H01L33/44(2010.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 张世俊
主权项 一种半导体发光元件,其特征在于具备:基体;第1半导体层,包含第1导电型区域;第2导电型的第2半导体层,设置在所述第1半导体层与所述基体之间;第3半导体层,设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间;第1导电层,设置在所述第2半导体层的一部分与所述基体之间,且与所述第2半导体层电连接;第1绝缘层,设置在所述第2半导体层的另一部分与所述基体之间以及所述第1导电层与所述基体之间;以及第2绝缘层,设置在所述第1绝缘层与所述基体之间;且从所述第2半导体层朝向所述第1半导体层的第1方向上与所述第1导电层重叠的第1位置上的所述第1绝缘层的第1厚度,比所述第1方向上不与所述第1导电层重叠的第2位置上的所述第1绝缘层的第2厚度薄,所述第1位置上的所述第2绝缘层的第3厚度与所述第2位置上的所述第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于所述第1厚度与所述第2厚度的差的第1绝对值。
地址 日本东京
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