发明名称 一种碳化硅基复合材料表面SiC涂层的制备方法
摘要 本发明涉及一种复合材料表面SiC涂层的制备方法,属于氧化防护技术领域。将硅粉包埋于碳化硅基复合材料表面,高温真空熔渗,使复合材料包埋于熔体之中;然后将包覆熔体的复合材料置于过量碳源之中,再次高温热处理。清理表面残渣后即可得到含有SiC涂层的复合材料。本发明采用反应熔渗法制备涂层,可实现制备涂层的同时进一步提高基材的致密度;通过碳源去除多余熔体,可形成均匀平整的SiC涂层。
申请公布号 CN105948822A 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201610282651.3 申请日期 2016.04.29
申请人 航天材料及工艺研究所;中国运载火箭技术研究院 发明人 龚晓冬;李军平;张国兵;孙新;常京华;冯志海
分类号 C04B41/87(2006.01)I 主分类号 C04B41/87(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 张丽娜
主权项 一种碳化硅基复合材料表面SiC涂层的制备方法,其特征在于步骤为:(a)将碳化硅基复合材料打磨、洗涤、烘干;(b)在步骤(a)得到的碳化硅基复合材料表面刷涂粘稠状浆料,刷涂过量,晾干;(c)在石墨容器内表面刷涂惰性材料,刷涂完成后在石墨容器底部铺一层硅粉,然后在硅粉上面放置步骤(b)得到的晾干后的碳化硅基复合材料,最后再在碳化硅基复合材料表面铺一层硅粉,对石墨容器进行密封;(d)将步骤(c)得到的石墨容器放入高温炉中真空环境下1350~1550℃热处理5~120min,然后随炉冷却至室温;(e)打开石墨容器将经步骤(d)处理的碳化硅基复合材料取出,然后包埋于碳粉中,然后放置于高温炉中氩气保护下1350~1550℃热处理5~120min,随炉冷却至室温;(f)将经步骤(e)处理的碳化硅基复合材料取出,处理残渣,即可得到含有SiC涂层的碳化硅基复合材料。
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