发明名称 一种压力浸渗Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>制备高性能钕铁硼磁体的方法
摘要 一种压力浸渗Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>制备高性能钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤为:先将钕铁硼取向压坯真空预烧结得到部分致密的预烧坯;再将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,通过压力浸渗方式,将Dy/Tb盐有机溶液在钕铁硼预烧坯内部“过滤”;Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>部分留在预烧坯孔隙内部,经过进一步烧结致密化并发生Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。该发明的优点是磁体不受尺寸和形状限制;大大缩短了Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>的扩散路径和扩散时间;磁体内部组织结构改善和性能提高的一致性好。
申请公布号 CN105957706A 申请公布日期 2016.09.21
申请号 CN201610274316.9 申请日期 2016.04.28
申请人 北京科技大学 发明人 包小倩;卢克超;高学绪;李纪恒
分类号 H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I 主分类号 H01F41/02(2006.01)I
代理机构 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人 张仲波
主权项 一种压力浸渗Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>制备高性能钕铁硼磁体的方法,其特征在于用压力浸渗的方式将Dy/Tb盐的有机溶液在部分致密的钕铁硼预烧坯内“过滤”,部分Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>留在预烧坯孔隙内,随后经过烧结致密化并发生Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼的矫顽力;具体工艺步骤如下:1)对钕铁硼取向压坯真空预烧结,得到部分致密、即有一定孔隙率的预烧坯,并对表面清洁处理;2)将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,得到具有一定浓度的Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>有机溶液;3)通过真空压力浸渗的方式将Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>有机溶液浸渗到预烧坯内部孔隙;4)经过Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>有机溶液浸渗过的预烧坯进一步烧结致密化并发生Dy<sup>3+</sup>/Tb<sup>3+</sup>晶界扩散;5)真空回火热处理得到高矫顽力烧结钕铁硼磁体。
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