一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层和位于其上的牺牲层的步骤，以及在半导体衬底上依次沉积接触孔粘合层和金属层，并进行CMP处理以形成金属栅极和第一接触孔栓塞的步骤。本发明的半导体器件的制造方法，通过采用牺牲层，避免了在形成第一接触孔的过程中对有源区的不当刻蚀，提高了产品的良率；并且，通过使金属栅极和第一接触孔栓塞在同一工艺步骤中形成，简化了半导体器件的制造工艺流程，提高生产效率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS和PMOS的伪栅极、栅极侧壁、源极、漏极；步骤S102：在所述半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层和位于其上的牺牲层，并对所述半导体衬底进行CMP处理以暴露出所述伪栅极，所述牺牲层与所述接触孔刻蚀阻挡层之间具有高的刻蚀选择比，以避免在后续形成第一接触孔的过程中对有源区的不当刻蚀；步骤S103：去除所述伪栅极；步骤S104：在所述半导体衬底上依次形成高k介电层以及所述NMOS和PMOS的功函数金属层；步骤S105：在所述半导体衬底上形成临时填充层，其中，所述临时填充层填平所述伪栅极原来的位置；步骤S106：在所述半导体衬底的有源区上方形成第一接触孔；步骤S107：去除所述临时填充层；步骤S108：在所述半导体衬底上依次沉积接触孔粘合层和金属层，并对所述半导体衬底进行CMP处理以形成金属栅极和第一接触孔栓塞。