发明名称 |
ナイフエッジを使用したウェーハレベルでのスポットサイズ測定のための装置、及びこのような装置を製造するための方法 |
摘要 |
The invention relates to a device for spot size measurement at wafer level in a multi charged particle beam lithography system. The device comprises a knife edge structure on top of a scintillating material, such a YAG material. The knife edge structure is arranged in a Si wafer which has a top plane at a sharp angle to a (1 1 0) plane of the Si. In an embodiment the angle is in the range from 2 to 4 degrees, preferably in the range from 2.9-3.1 degrees. The invention relates in addition to a method for manufacturing a device for spot size measurement at wafer level in a multi charged particle beam lithography system. |
申请公布号 |
JP5996674(B2) |
申请公布日期 |
2016.09.21 |
申请号 |
JP20140554681 |
申请日期 |
2012.12.05 |
申请人 |
マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. |
发明人 |
メイジェル、ヤン・アンドリース;シェファーズ、パウル・イェーメルト;サル、アブドゥ |
分类号 |
H01L21/027;G01B15/00;G03F7/20;H01J37/04 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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