气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法

摘要

本发明提供了一种气液两相雾化流量可控清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变，从而控制所述气体主管路的孔径，改变所述气体主管路中气体的压力和流速。本发明通过合理控制清洗介质的流量和流速，调整晶片径向不同位置的腐蚀速率，提高晶片的腐蚀均一性；在工艺过程中气流方向与晶片表面的沟槽结构相垂直，促进沟槽中杂质向流体主体的传递，提高清洗的效率和效果，同时，有利于节约液相流体。

主权项

一种气液两相雾化流量可控清洗装置，其特征在于，所述装置包括与旋转臂连接的气液两相雾化喷头，所述旋转臂带动所述气液两相雾化喷头在晶片边缘与晶片中心之间做往复运动；所述喷头包括气体主管路、液体支管路、压电晶体，所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体，所述液体支管路与所述气体主管路相通，液体支管路与气体主管路的连通处设置在压电晶体的下方；通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变，从而控制所述气体主管路的孔径，改变所述气体主管路中气体的压力和流速。