发明名称 H<sub>2</sub>S反应性退火以降低源自纳米粒子的薄膜中的碳
摘要 用于使用CIGS纳米粒子在基板上制备CIGS吸收层的方法包括一个或多个退火步骤,所述退火步骤包括加热一个或多个CIGS纳米粒子膜以将膜干燥并且可以将CIGS纳米粒子熔合在一起以形成CIGS晶体。通常,至少最终退火步骤将会引起粒子熔合以形成CIGS晶体。已经发现反应性气体退火有助于所得CIGS吸收层中较大颗粒的生长并且引起那些层的提高的光伏性能。怀疑CIGS纳米粒子中碳的存在妨碍了晶粒生长并且限制了在退火时可以在CIGS膜中得到的晶体的尺寸。已经发现将CIGS纳米粒子膜暴露于含有硫的反应性气氛可以降低膜中碳的量,引起在退火时较大CIGS晶体的生长。
申请公布号 CN105940500A 申请公布日期 2016.09.14
申请号 CN201580006021.7 申请日期 2015.01.30
申请人 纳米技术有限公司 发明人 保罗·柯卡姆;卡里亚·艾伦;斯蒂芬·怀特莱格
分类号 H01L31/032(2006.01)I 主分类号 H01L31/032(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 牛海军
主权项 一种用于制备含有硫化(硒化)铜铟镓[CIGS]纳米粒子的膜的方法,所述方法包括:将CIGS前体的溶液或悬浮液沉积在基板上以形成膜;将膜在反应性含硫气氛中退火。
地址 英国曼彻斯特