发明名称 |
H<sub>2</sub>S反应性退火以降低源自纳米粒子的薄膜中的碳 |
摘要 |
用于使用CIGS纳米粒子在基板上制备CIGS吸收层的方法包括一个或多个退火步骤,所述退火步骤包括加热一个或多个CIGS纳米粒子膜以将膜干燥并且可以将CIGS纳米粒子熔合在一起以形成CIGS晶体。通常,至少最终退火步骤将会引起粒子熔合以形成CIGS晶体。已经发现反应性气体退火有助于所得CIGS吸收层中较大颗粒的生长并且引起那些层的提高的光伏性能。怀疑CIGS纳米粒子中碳的存在妨碍了晶粒生长并且限制了在退火时可以在CIGS膜中得到的晶体的尺寸。已经发现将CIGS纳米粒子膜暴露于含有硫的反应性气氛可以降低膜中碳的量,引起在退火时较大CIGS晶体的生长。 |
申请公布号 |
CN105940500A |
申请公布日期 |
2016.09.14 |
申请号 |
CN201580006021.7 |
申请日期 |
2015.01.30 |
申请人 |
纳米技术有限公司 |
发明人 |
保罗·柯卡姆;卡里亚·艾伦;斯蒂芬·怀特莱格 |
分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
牛海军 |
主权项 |
一种用于制备含有硫化(硒化)铜铟镓[CIGS]纳米粒子的膜的方法,所述方法包括:将CIGS前体的溶液或悬浮液沉积在基板上以形成膜;将膜在反应性含硫气氛中退火。 |
地址 |
英国曼彻斯特 |