碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置

摘要

本发明的碳化硅半导体装置具有：n⁺型碳化硅基板(1)；n型碳化硅外延层(2)；p⁺型基区(3)，其选择性地形成于n型碳化硅外延层(2)的表面层；n⁺型源区(6)，其选择性地生成于p⁺型基区(3)内；TiN膜(11)和Ni膜(12)，其作为电连接到n⁺型源区(6)而形成的源电极；栅绝缘膜(8)，其形成于p⁺型基区(3)的被n型碳化硅外延层(2)与n⁺型源区(6)所夹的部分的表面上；栅电极(9)，其形成于栅绝缘膜(8)上；漏电极，其形成于n⁺型碳化硅基板(1)的背面侧；以及半导体装置用的金属配线，其与作为源电极的TiN膜(11)和Ni膜(12)连接，以铝作为材料而形成，并在该形成后通过低温氮退火形成，即使在高温下对栅极施加负电压，也能够抑制阈值电压的降低。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在第一导电型的碳化硅基板的正面侧形成低浓度的第一导电型的碳化硅层的工序；在所述碳化硅层的表面层选择性地形成第二导电型的区域的工序；在所述区域内选择性地形成第一导电型的源区的工序；形成电连接到所述源区的源电极的工序；在所述区域的被所述碳化硅层与所述源区所夹的部分的表面上形成栅绝缘膜的工序；在所述栅绝缘膜上形成栅电极的工序；以及在所述碳化硅基板的背面侧形成漏电极的工序，所述碳化硅半导体装置的制造方法还包括：以铝作为材料形成与所述源电极连接的半导体装置用的金属配线的工序；以及在所述金属配线形成之后，进行低温氮退火的工序。