高散热与高导热特性的半导体器件电路基板

摘要

本发明涉及一种高散热与高导热特性的半导体器件电路基板，属于半导体器件电路基板的技术领域，所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层，并且所述高导热绝缘层用作半导体元器件的基座，所述树脂绝缘层用作其他电子元器件的基座，并且所述半导体元器件与所述其他电子元器件通过金属连接体电性连接；并且所述金属连接体为采用银、金或铜的引线、隆起物和/或桥接物。本发明的电路基板可提供散热性得到显著改善以及高可靠性，可以应用于各种含半导体芯片的基体，例如可以提高计算机电路中CPU等的散热，提高逆变器电路中IGBT bipolar等半导体芯片的散热，提高无线通讯电路中无线模块等的散热，提高电源管理电路中管理芯片的散热。

主权项

一种高散热与高导热特性的半导体器件电路基板，包括金属基板，其特征在于：所述金属基板上形成有树脂绝缘层和高导热绝缘层，并且所述高导热绝缘层用作半导体元器件的基座，所述树脂绝缘层用作其他电子元器件的基座，并且所述半导体元器件与所述其他电子元器件通过金属连接体电性连接；并且所述高导热绝缘层的导热系数的范围为50～500W/mK，厚度为20～500μm；所述树脂绝缘层的热导率为0.5～30W/mK，厚度为20～500μm；所述金属基板表面经过表面处理在其表面上形成有阳极氧化铝膜；所述的阳极氧化膜的制备方法如下：首先对铝或铝合金板基底进行清洗和除垢，然后在柠檬酸水溶液中进行阳极氧化处理，所述柠檬酸水溶液含有：20～35g/L的柠檬酸，3～5g/L的DL‑半胱氨酸，0.5～1.0g/L的过氧化氢，3～5g/L的柠檬酸铝；在液温为10～20℃、电流密度为0.5～1A/dm²、电解处理20～30min；所述阳极氧化铝膜的厚度为10～20μm；所述阳极氧化铝膜的绝缘耐久时间大于1000小时，所述的绝缘耐久时间是指在50℃、85％RH的条件下在阳极氧化铝膜上施加100V的直流电压，而将电阻值下降至10⁶Ω以下的时间。