焊盘、具有焊盘的绝缘体上硅器件

摘要

本发明公开了一种焊盘，包括若干焊盘金属层，靠近半导体衬垫的焊盘金属层与半导体衬底构成寄生电容，靠近半导体衬底的焊盘金属层被分割为相互分离的部分，以减小寄生电容两极板的正对面积，从而减小寄生电容。本发明还公开了一种绝缘体上硅器件，其包括如上所述的焊盘，通过在内部设置一用作屏蔽层的导电层，使集成电路内部的非线性可变寄生电容变为恒定寄生电容。进一步地，所述绝缘体上硅器件还在内部设置一深度增大的S TI隔离区从而使该寄生电容值减小。当绝缘体上硅器件工作时，施加于器件上的射频信号会尽可能少的从该寄生电容泄露，且得到的射频信号为线性信号，符合射频设备的使用要求。

主权项

一种绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底，包括硅基板、形成于所述硅基板上的埋入氧化层、形成于所述埋入氧化层上的硅层，所述硅层内设有源区、漏区及用于隔绝所述源区、漏区的STI隔离区；焊盘，包括若干焊盘金属层，靠近半导体衬底的焊盘金属层被分割为相互分离的若干部分，所述靠近半导体衬底的焊盘金属层的相互分离的若干部分均通过填充有导电金属的通孔电连接至相邻的未被分割的焊盘金属层，所述靠近半导体衬底的焊盘金属层与半导体衬底之间设有层间介质层，所述靠近半导体衬底的焊盘金属层的位置对应所述STI隔离区；所述STI隔离区上覆盖有一层接地的导电层；所述靠近半导体衬底的焊盘金属层与所述导电层之间设有层间介质层。