半导体电容器的形成方法

摘要

一种半导体电容器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的材料为掺杂多晶硅；在所述第一多晶硅层表面沉积第一子介质层；在形成第一子介质层后，将所述半导体衬底、第一多晶硅层和第一子介质层置于氮气中加热；在氮气加热之后，在所述第一子介质层表面干法氧化形成第二子介质层；在所述第二子介质层的表面形成第二多晶硅层。所述半导体电容器的形成方法在不改变现有的逻辑晶体管电路热预算的基础上使所形成的半导体电容器的介质层厚度更易控制，从而使所形成的半导体电容器的更精确。

主权项

一种半导体电容器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的材料为掺杂多晶硅；在所述第一多晶硅层表面沉积第一子介质层；在所述半导体衬底表面形成高压晶体管，所述第一子介质层与高压晶体管的栅介质层同时形成；在形成第一子介质层后，使所述半导体衬底、第一多晶硅层和第一子介质层于氮气中加热；在氮气加热之后，在所述第一子介质层表面干法氧化形成第二子介质层；在所述半导体衬底表面形成低压晶体管，所述第二子介质层与低压晶体管的栅介质层同时形成；在所述第二子介质层的表面形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层与低压晶体管和高压晶体管的栅电极层同时形成。