半导体框架的内引线分层制作方法

摘要

本发明提供一种半导体框架的内引线分层制作方法，框架内引线的露铜表面内设置一个通孔，在通孔两侧或单侧滚镀超窄、超薄镀银区域。通孔可以加强框架内引线正反面跟包封塑封料的锁紧和锁定，超窄、超薄的镀银区域所采用的滚轮式电镀工艺大大突破现有电镀工艺的技术指标，可以极大地减少镀银区域，最大限度地增加框架内引线露铜表面区域。

主权项

一种半导体框架的内引线分层制作方法，其特征在于：在框架内引线的露铜表面形成毛糙面；在所述框架内引线毛糙面中部产生一个通孔，在所述通孔单侧或两侧采用滚镀方式电镀一块超窄和超薄的镀银区域。