| 发明名称 | 一种氮化物发光二极管的外延结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，通过在多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V‑pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。通过钝化层/DBR/Al量子点复合结构的多重垒加效应，提升量子阱的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105932128A | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201610305529.3 | 申请日期 | 2016.05.10 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 郑锦坚;钟志白;杨焕荣;李志明;杜伟华;邓和清;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种氮化物发光二极管的外延结构，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，P型氮化物，P型接触层以及DBR，其特征在于：多量子阱发光区的V‑pits上方填充钝化层/DBR/Al量子点的复合结构，钝化层阻挡电子和空穴扩散至V‑pits，降低V‑pits中缺陷的非辐射复合，而DBR将量子阱发出的光反射，防止光被V‑pits中的缺陷吸收，同时，Al量子点形成光反射和表面等离激元，进一步引导光波导方向。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||