| 发明名称 | 一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法，属于太阳能光电吸收层材料、半导体材料领域。本发明结合的稀土资源优势，采用稀土元素取代In制备太阳能电池吸收层材料Cu(In<sub>x</sub>X<sub>1‑x</sub>)Se<sub>2</sub>，其中X为稀土元素，特别是采用稀土元素钇(Y)掺杂/取代In和Ga制备太阳能电池吸收层材料Cu(In<sub>x</sub>Y<sub>1‑x</sub>)Se<sub>2</sub>。本发明可减少Cu(In<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>)Se<sub>2</sub>太阳能电池材料中稀散金属In和Ga的使用量，同时提高了CuInSe<sub>2</sub>系吸收层材料的禁带宽度,增加了太阳光光谱响应的匹配性，提高了Cu(In<sub>x</sub>X<sub>1‑x</sub>)Se<sub>2</sub>太阳能电池的转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104659124B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201510054369.5 | 申请日期 | 2015.02.03 |
| 申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 马瑞新;李士娜;牛建文;程诗垚;刘子林 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人 | 张仲波 |
| 主权项 | 一种太阳能电池吸收层材料，其特征在于：该材料为用稀土元素钇掺杂铜铟硒得到的Cu(In<sub>x</sub>Y<sub>1‑x</sub>)Se<sub>y</sub>，其中x＝0～1，y＝2.0～2.5。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号 | ||