发明名称 复合式逆变器
摘要 本发明公开了复合式逆变器,它包括输入电压、并联在输入电压正负极之间的电容C1,输入电压的正极上并联有MOS管Q1、MOS管Q3和MOS管Q5的漏极,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连,MOS管Q3的源极与MOS管Q4的漏极相连,MOS管Q5的源极与MOS管Q6的漏极相连,MOS管Q2、MOS管Q4和MOS管Q6的源极与输入电压的负极相连;MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极之间依次通过电感L2、电容C2和电感L3连接在MOS管Q5的源极和MOS管Q6的漏极之间,MOS管Q3的源极与MOS管Q4的漏极之间依次通过电感L1、电容C2和电感L3连接在MOS管Q5的源极和MOS管Q6的漏极之间,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极之间依次通过电感L2、电容C2和电感L3连接在MOS管Q5的源极和MOS管Q6的漏极之间,电容C2上并联有负载R1。
申请公布号 CN103746588B 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201310729747.6 申请日期 2013.12.26
申请人 安徽巨日华电新能源有限公司 发明人 陈丹平;王德才;杨彦辉;高家富
分类号 H02M7/5387(2007.01)I;H02M1/12(2006.01)I 主分类号 H02M7/5387(2007.01)I
代理机构 铜陵市天成专利事务所 34105 代理人 王惠英
主权项 复合式逆变器的控制方法,其特征是它包括输入电压、并联在输入电压正负极之间的电容C1,所述输入电压的正极上并联有MOS管Q1、MOS管Q3和MOS管Q5的漏极,所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q3的源极与MOS管Q4的漏极相连,所述MOS管Q5的源极与MOS管Q6的漏极相连,所述MOS管Q2、MOS管Q4和MOS管Q6的源极与输入电压的负极相连;所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极之间依次通过电感L2、电容C2和电感L3连接在MOS管Q5的源极和MOS管Q6的漏极之间,所述MOS管Q3的源极与MOS管Q4的漏极之间依次通过电感L1、电容C2和电感L3连接在MOS管Q5的源极和MOS管Q6的漏极之间,所述电容C2上并联有负载R1;其控制方法如下:首先控制信号ctr1、ctr3和ctr6打开Q1、Q3和Q6,而ctr2、ctr4、ctr5则控制Q2、Q4、Q5为关闭状态,在电流经过L1,L2通过R1、L3和Q6形成回路,这样在负载R1上会有一个电压信号即为输出,然后控制信号ctr2、ctr4、和ctr5打开Q2、Q4和Q5,而ctr1、ctr3和ctr6关断Q1、Q3和Q6,电流经过L1,L2通过R1、L3和Q5形成回路,这样在负载R1上会又有一个电压信号即为输出,此时的电压信号和刚才的输出电压信号的方向刚好相反。
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