发明名称 MASK BLANK, PHASE-SHIFT-MASK PRODUCTION METHOD, PHASE SHIFT MASK, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE PRODUCTION METHOD
摘要 본 발명은, 투광성 기판(10) 상에, 당해 투광성 기판측으로부터 순서대로 위상 시프트막(11), 차광막(13) 및 하드 마스크막(15)을 적층한 구조를 갖는 마스크 블랭크로서, 상기 위상 시프트막은 규소를 함유하는 재료로 형성되고, 상기 하드 마스크막은 규소 및 탄탈로부터 선택되는 적어도 1 이상의 원소를 함유하는 재료로 형성되며, 상기 차광막은 크롬을 함유하는 재료로 형성되고, 하층(13a), 중간층(13b) 및 상층(13c)의 3층을 적층한 구조를 가지며, 상기 상층은 크롬의 함유량이 상기 차광막 중에서 가장 많고, 상기 중간층은 크롬의 함유량이 상기 차광막 중에서 가장 적으며, 또한 인듐, 주석 및 몰리브덴으로부터 선택되는 적어도 1 이상의 금속 원소를 함유하고 있다.
申请公布号 KR20160105931(A) 申请公布日期 2016.09.07
申请号 KR20167023728 申请日期 2015.02.24
申请人 HOYA CORPORATION 发明人 SHISHIDO HIROAKI;NOZAWA OSAMU;UCHIDA TAKASHI
分类号 G03F1/32;G03F1/00;G03F1/58;G03F1/80 主分类号 G03F1/32
代理机构 代理人
主权项
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