发明名称 |
半导体集成电路系统及其驱动方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体集成电路系统及其驱动方法,所述半导体集成电路系统包括:相变线,所述相变线包括构成第一存储器单元的第一相变区域和构成第二存储器单元的第二相变区域;写入电流提供单元,所述写入电流提供单元被配置成将所述第一相变区域和所述第二相变区域中的选中的一个相变区域相变;以及相变补偿单元,所述相变补偿单元被配置成通过对所述第一相变区域和所述第二相变区域中的另一个相变区域因所述选中的相变区域的相变而引起的伪相变进行补偿,来修复所述另一个相变区域。 |
申请公布号 |
CN103021457B |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201210246585.6 |
申请日期 |
2012.07.17 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
朴海赞;金秀吉 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
石卓琼;俞波 |
主权项 |
一种半导体集成电路系统,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括多个字线、与所述多个字线交叉的多个位线,以及形成在所述多个字线与所述多个位线的每个交叉处的相变存储器单元;复位电流单元,所述复位电流单元被配置成将复位电流施加到所述位线中的位线以将从所述相变存储器单元之中选中的一个相变存储器单元控制为具有非晶状态;设定电流单元,所述设定电流单元被配置成将设定电流施加到所述位线中的位线以将从所述相变存储器单元之中选中的一个相变存储器单元控制为具有结晶状态;以及相变补偿单元,所述相变补偿单元被配置成经由与每个选中的相变存储器单元相邻的存储器单元的字线,施加校正电流到所述相邻的存储器单元,以补偿所述相邻的存储器单元的相变。 |
地址 |
韩国京畿道 |