用于场效应晶体管器件的自动对准接触

摘要

一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包含：形成栅极叠层、邻近所述栅极叠层的相对侧面的间隔物、在所述间隔物的相对侧面上的硅化物源极区域和硅化物漏极区域，在所述源极区域和所述漏极区域上外延生长硅；在所述栅极叠层和所述间隔物上形成衬里层，去除所述衬里层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分，去除所述硬掩模层的暴露部分以暴露所述栅极叠层的硅层，去除暴露的硅以暴露所述栅极叠层的金属层的一部分、所述源极区域以及所述漏极区域；以及在所述栅极叠层的所述金属层上、所述硅化物源极区域和所述硅化物漏极区域上沉积导电材料。

主权项

一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包含以下步骤：在衬底上形成栅极叠层；在所述衬底上邻近所述栅极叠层的相对侧面形成间隔物；在所述衬底上邻近在所述栅极叠层的第一侧面上的所述间隔物形成硅化物源极区域；在所述衬底上邻近所述栅极叠层的第二侧面上的所述间隔物形成硅化物漏极区域；在暴露的硅化物源极区域和暴露的硅化物漏极区域上外延生长硅；在所述栅极叠层的硬掩模层和所述间隔物上形成衬里层；去除所述衬里层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分；去除所述硬掩模层的暴露部分以暴露所述栅极叠层的硅层；去除暴露的硅以暴露所述栅极叠层的金属层的一部分、所述硅化物源极区域和所述硅化物漏极区域；以及在所述栅极叠层的暴露金属层、暴露的硅化物源极区域和暴露的硅化物漏极区域上沉积导电材料。