用于较薄堆叠封装件结构的方法和装置

摘要

用于较薄堆叠封装件(“PoP”)结构的方法和装置。一种结构包括：第一集成电路封装件，该第一集成电路封装件包括安装在第一基板上的至少一个集成电路器件和从底面延伸的多个堆叠封装连接件；以及第二集成电路封装件，该第二集成电路封装件包括安装在第二基板上的至少另一个集成电路器件和位于上表面上连接至多个堆叠封装连接件的多个接合盘，以及从底面延伸的多个外部连接件；其中，至少第二基板由多层层压电介质和导体形成。在另一个实施例中，在第一基板的底面上形成腔，并且另一个集成电路的一部分部分地延伸至腔中。公开了用于制造PoP结构的方法。

主权项

一种半导体器件结构，包括：第一集成电路封装件，包括安装在第一基板上的至少一个集成电路器件，并且具有从所述第一基板的底面延伸的多个堆叠封装连接件，以及在所述底面上形成的并且延伸到所述第一基板中的腔，所述堆叠封装连接件与所述腔间隔开布置；以及第二集成电路封装件，包括安装在第二基板上的至少另一个集成电路器件，包括位于所述第二基板的上表面上的连接至所述多个堆叠封装连接件的多个接合盘，并且进一步包括从所述第二集成电路封装件的底面延伸的多个外部连接件；其中，所述至少另一个集成电路器件中的至少一部分延伸至所述第一基板的所述底面上的腔中，所述第二基板是有芯基板并且具有不对称的电路层系统，所述第二基板的上表面比所述第二基板的下表面具有更多数量的介电层。