面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构

摘要

本发明公开了一种面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构，所述边缘结终端结构是在N型或P型碳化硅外延层上构建的，所述边缘结终端结构包括依次布置的台面、主结、扩展区、第一浮动保护环和表面有至少一个台阶的浮动保护区，所述主结位于台面的下侧，所述扩展区位于所述主结的边缘，所述第一浮动保护环位于所述扩展区的外侧，所述浮动保护区位于所述第一浮动保护环的外侧。根据本发明实施例的面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构，能够明显提高器件的离子注入工艺窗口与击穿电压。

主权项

一种面向碳化硅高压大功率器件的边缘结终端结构，所述边缘结终端结构是在N型或P型碳化硅外延层上构建的，其特征在于，所述边缘结终端结构包括依次布置的台面、主结、扩展区、第一浮动保护环、表面有至少一个台阶的浮动保护区，所述主结位于台面的下侧，所述扩展区位于所述主结的边缘，所述第一浮动保护环位于所述扩展区的外侧，所述浮动保护区位于所述第一浮动保护环的外侧。