发明名称 GATE STRUCTURE HAVING DESIGNED PROFILE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
摘要 반도체 구조체 및 그 형성 방법이 제공된다. 반도체 구조체는 기판 위에 형성된 곡면 측벽을 갖는 금속 게이트 구조체를 갖는다. 반도체 구조체는 금속 게이트 구조체의 곡면 측벽 위에 형성된 곡면 스페이서를 추가로 포함한다. 또한, 금속 게이트 구조체의 각 곡면 측벽은 상부, 중간부, 및 하부를 갖고, 금속 게이트 구조체의 곡면 측벽의 중간부와 하부 사이의 각도는 180˚보다 작다.
申请公布号 KR101655608(B1) 申请公布日期 2016.09.07
申请号 KR20140178656 申请日期 2014.12.11
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 쳉 카이리;창 체쳉
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址