半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法

摘要

一种半导体晶圆的表面处理方法，为在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理，包括：旋转喷涂显影液，浸润，用去离子水冲洗，干燥等步骤。其中，表面处理所用显影液与后续工艺中用于酸碱中和反应中的显影液是相同的。本发明具有操作简单，且易于实现的优点，并且在去除较深凹槽中的光刻胶残留方面，有显著的效果。

主权项

一种半导体晶圆的表面处理方法，其特征在于，在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理；用显影液进行表面处理的方式为对晶圆进行喷涂显影液，其包括进行旋转喷涂‑浸润‑旋转喷涂‑浸润的多次重复，其中，进行旋转喷涂‑浸润‑旋转喷涂‑浸润的多次重复的整个过程的时间为60s，用来中和掉晶圆表面的酸性物质，防止晶圆表面的酸性物质在后续酸碱中和反应中消耗掉显影液中的碱性离子，避免较深凹槽中有光刻胶残留。