发明名称 保护负载元器件的自分流拓扑电路
摘要 本发明公开了一种保护负载元器件的自分流拓扑电路,包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4,电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端;晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端,Q1的发射极接负载电阻低电位端,Q1的基极接于电阻R1和R2之间;晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端,Q2的发射极接负载电阻低电位端,Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间。在干扰电流出现时,电路自动分流,使干扰电流大部分从自分流电路流过,从而避免负载受到过大的干扰电流冲击;当为正常工作电流时,自分流电路将解除保护状态,从而不影响负载元器件正常工作。
申请公布号 CN105932653A 申请公布日期 2016.09.07
申请号 CN201610413714.4 申请日期 2016.06.14
申请人 重庆万道光电科技有限公司 发明人 戴祖兵;袁杰;杨安智
分类号 H02H9/02(2006.01)I 主分类号 H02H9/02(2006.01)I
代理机构 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人 李海华
主权项 保护负载元器件的自分流拓扑电路,包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4,电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端;晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端,晶体三极管Q1的发射极接负载电阻低电位端,晶体三极管Q1的基极接于电阻R1和R2之间;晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端,晶体三极管Q2的发射极接负载电阻低电位端,晶体三极管Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间。
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