发明名称 |
保护负载元器件的自分流拓扑电路 |
摘要 |
本发明公开了一种保护负载元器件的自分流拓扑电路,包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4,电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端;晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端,Q1的发射极接负载电阻低电位端,Q1的基极接于电阻R1和R2之间;晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端,Q2的发射极接负载电阻低电位端,Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间。在干扰电流出现时,电路自动分流,使干扰电流大部分从自分流电路流过,从而避免负载受到过大的干扰电流冲击;当为正常工作电流时,自分流电路将解除保护状态,从而不影响负载元器件正常工作。 |
申请公布号 |
CN105932653A |
申请公布日期 |
2016.09.07 |
申请号 |
CN201610413714.4 |
申请日期 |
2016.06.14 |
申请人 |
重庆万道光电科技有限公司 |
发明人 |
戴祖兵;袁杰;杨安智 |
分类号 |
H02H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H02H9/02(2006.01)I |
代理机构 |
重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 |
代理人 |
李海华 |
主权项 |
保护负载元器件的自分流拓扑电路,包括两晶体三极管Q1、Q2和四电阻R1、R2、R3、R4,电阻R1和R2串联后并接于负载电阻两端;晶体三极管Q1的集电极通过电阻R4接负载电阻高电位端,晶体三极管Q1的发射极接负载电阻低电位端,晶体三极管Q1的基极接于电阻R1和R2之间;晶体三极管Q2的集电极通过电阻R3接负载电阻高电位端,晶体三极管Q2的发射极接负载电阻低电位端,晶体三极管Q2的基极连接于晶体三极管Q1的集电极和电阻R4之间。 |
地址 |
401121 重庆市北部新区高新园海王星科技大厦A区7楼3# |